Reactive gas cluster ion beam processing using gas cluster ions comprising
a mixture of gases cleans and/or etches the bottoms of electrical
interconnect vias and/or trenches in integrated circuits to produce
interconnect structures with lower contact resistances and better
reliability than was previously achieved with conventional processes. In
one embodiment, an electrical interconnect via structure uses a dielectric
or high resistivity diffusion barrier material.
Реактивный луч иона группы газа обрабатывая использующ ионы группы газа состоя из смеси газов очищает and/or вытравил дн электрических vias interconnect and/or шанцы в интегрированных цепях для того чтобы произвести структуры interconnect с более низкими сопротивлениями контакта и более лучшей надежностью чем ранее достигл с обычными процессами. В одном воплощении, электрический interconnect через структуру использует диэлектрический или высокий материал барьера диффузии резистивности.
