A process for fabricating an integrated semiconductor device with a low
dielectric constant material and an integrated semiconductor device with
the low dielectric constant material interposed between two conductors is
disclosed. The low dielectric constant material has a dielectric constant
of less than about 2.8. The low dielectric constant material is a porous
glass material with an average pore size of less than about 10 nm. The low
dielectric constant material is formed on a semiconductor substrate with
circuit lines thereover by combining an uncured and unmodified glass resin
with an amphiphilic block copolymer. The amphiphilic block copolymer is
miscible in the uncured glass resin. The mixture is applied onto the
semiconductor substrate and the glass resin is cured. The glass resin is
further processed to decompose or otherwise remove residual block
copolymer from the cured glass resin.
Un processus pour fabriquer un dispositif de semi-conducteur intégré avec un bas matériel de constante diélectrique et un dispositif de semi-conducteur intégré avec le bas matériel de constante diélectrique interposé entre deux conducteurs est révélé. Le bas matériel de constante diélectrique a une constante diélectrique moins qu'environ de 2.8. Le bas matériel de constante diélectrique est un matériel en verre poreux avec une taille moyenne de pore moins qu'environ de 10 nm. Le bas matériel de constante diélectrique est formé sur un substrat de semi-conducteur avec des lignes thereover de circuit en combinant une résine de verre fraîche et non modifiée avec du copolymère amphiphilic de bloc. Le copolymère amphiphilic de bloc est miscible dans la résine de verre fraîche. Le mélange est appliqué sur le substrat de semi-conducteur et la résine de verre est traitée. La résine de verre est encore traitée pour décomposer ou éliminer autrement le copolymère résiduel de bloc de la résine de verre traitée.
