Vertical bipolar transistor and a method of manufacture therefor including two epitaxial layers and a buried layer

   
   

The present invention provides a vertical bipolar transistor 110, a method of manufacture therefor, and an integrated circuit including the same. The vertical bipolar transistor 110 may include, in one embodiment, a second epitaxial layer 140 located over a first epitaxial layer 130, wherein the second epitaxial layer includes at least two dopant profiles 143, 147. The vertical bipolar transistor 110 may further include a collector 154, a base 156 and an emitter 158 located over or within the second epitaxial layer 140.

Η παρούσα εφεύρεση παρέχει μια κάθετη διπολική κρυσταλλολυχνία 110, μια μέθοδο κατασκευής γί αυτό, και ένα ολοκληρωμένο κύκλωμα συμπεριλαμβανομένου του ίδιου πράγματος. Η κάθετη διπολική κρυσταλλολυχνία 110 μπορεί να περιλάβει, σε μια ενσωμάτωση, ένα δεύτερο κρυσταλλικό στρώμα 140 που βρίσκεται πέρα από ένα πρώτο κρυσταλλικό στρώμα 130, όπου το δεύτερο κρυσταλλικό στρώμα περιλαμβάνει τουλάχιστον δύο σχεδιαγράμματα 143, 147 υλικού πρόσμιξης. Η κάθετη διπολική κρυσταλλολυχνία 110 μπορεί περαιτέρω να περιλάβει έναν συλλέκτη 154, μια βάση 156 και έναν εκπομπό 158 που βρίσκεται πέρα από ή μέσα στο δεύτερο κρυσταλλικό στρώμα 140.

 
Web www.patentalert.com

< Semiconductor devices with multiple isolation structure and methods for fabricating the same

< Integrated capacitor for sensing the voltage applied to a terminal of an integrated or discrete power device on a semiconductor substrate

> High permeability composite films to reduce noise in high speed interconnects

> Semiconductor device and method of manufacturing the same, circuit board, and electronic instrument

~ 00142