The present invention provides a vertical bipolar transistor 110, a method
of manufacture therefor, and an integrated circuit including the same. The
vertical bipolar transistor 110 may include, in one embodiment, a second
epitaxial layer 140 located over a first epitaxial layer 130, wherein the
second epitaxial layer includes at least two dopant profiles 143, 147. The
vertical bipolar transistor 110 may further include a collector 154, a
base 156 and an emitter 158 located over or within the second epitaxial
layer 140.
Η παρούσα εφεύρεση παρέχει μια κάθετη διπολική κρυσταλλολυχνία 110, μια μέθοδο κατασκευής γί αυτό, και ένα ολοκληρωμένο κύκλωμα συμπεριλαμβανομένου του ίδιου πράγματος. Η κάθετη διπολική κρυσταλλολυχνία 110 μπορεί να περιλάβει, σε μια ενσωμάτωση, ένα δεύτερο κρυσταλλικό στρώμα 140 που βρίσκεται πέρα από ένα πρώτο κρυσταλλικό στρώμα 130, όπου το δεύτερο κρυσταλλικό στρώμα περιλαμβάνει τουλάχιστον δύο σχεδιαγράμματα 143, 147 υλικού πρόσμιξης. Η κάθετη διπολική κρυσταλλολυχνία 110 μπορεί περαιτέρω να περιλάβει έναν συλλέκτη 154, μια βάση 156 και έναν εκπομπό 158 που βρίσκεται πέρα από ή μέσα στο δεύτερο κρυσταλλικό στρώμα 140.
