Semiconductor devices with a multiple isolation structure and methods for
fabricating the same are provided. In one aspect, a semiconductor device
comprises a heavily doped buried layer having a first conductivity type,
which is formed in a predetermined region of a semiconductor substrate,
and an epitaxial layer having the first conductivity type, which covers an
entire surface of the semiconductor substrate. A device isolation
structure is disposed such that the device isolation structure penetrates
the epitaxial layer and a portion of the semiconductor substrate to define
a device region. The device isolation structure includes an upper
isolation structure penetrating an epitaxial layer as well as a lower
isolation structure formed in the semiconductor substrate under the upper
isolation structure.
I dispositivi a semiconduttore con un isolamento multiplo strutturano ed i metodi per fabbricare lo stesso sono forniti. In una funzione, un dispositivo a semiconduttore contiene uno strato sepolto pesante verniciato che hanno un primo tipo di conducibilità, che è formato in una regione predeterminata di un substrato a semiconduttore e uno strato epitassiale che ha il primo tipo di conducibilità, che riguarda un'intera superficie del substrato a semiconduttore. Una struttura di isolamento del dispositivo è disposta di tali che la struttura di isolamento del dispositivo penetra lo strato epitassiale e una parte del substrato a semiconduttore per definire una regione del dispositivo. La struttura di isolamento del dispositivo include una struttura superiore di isolamento che penetra uno strato epitassiale come pure una struttura più bassa di isolamento formata nel substrato a semiconduttore sotto la struttura superiore di isolamento.
