A magneto-resistive random access memory includes a MOS transistor having a
first gate and source and drain junctions on a substrate, a lower
electrode connected to the source junction, a first magnetic layer on the
lower electrode, a dielectric barrier layer including aluminum and hafnium
on the first magnetic layer which, together with the first magnetic layer,
form a potential well, a second magnetic layer on the dielectric barrier
layer opposite the first magnetic layer, an upper electrode on the second
magnetic layer, a second gate interposed between the first gate and the
lower electrode to control the magnetic data of one of the first and
second magnetic layers, and a bit line positioned orthogonal to the first
gate and electrically connected to the upper electrode. Improved
characteristics of the barrier layer increase a magnetic resistance ratio
and improve data storage capacity of the magneto-resistive random access
memory.
Магниторезистивный памяти случайного доступа вклюает транзистор mos имея первый строб и источник и соединения стока на субстрате, более низком электроде соединенный к соединению источника, первом магнитном слое на более низком электроде, диэлектрическом слое барьера включая алюминий и гафнии на первом магнитном слое которые, together with первый магнитный слой, формируют потенциальное наилучшим образом, втором магнитном слое на диэлектрическом слое барьера напротив первого магнитного слоя, верхнего электрода на втором магнитном слое, втором стробе interposed между первым стробом и более низким электродом для того чтобы контролировать магнитные данные одного из первых и вторых магнитных слоев, и ортогональное бита расположенное линией к первому стробу и электрически соединенное к верхнему электроду. Улучшенные характеристики слоя барьера увеличивают магнитный коэффициент сопротивления и улучшают емкость хранений данных магниторезистивный памяти случайного доступа.
