A dielectrically separated wafer and a fabrication method of the same are
provided according to the first, second and third embodiments of the
present invention.
According to the first embodiment, it becomes possible to expand the device
fabrication surface area of the dielectrically separated silicon islands
by laminating a low concentration impurity layer including a dopant of the
same conductivity on a high concentration impurity layer formed on the
bottom of the island.
According to the second embodiment, a dielectrically separated wafer and a
fabrication method for the same which can grow a polysilicon layer without
producing voids in the dielectrically separating oxide layer is provided
by forming a seed polysilicon layer at low temperature and under low
pressure and by forming, on the seed polysilicon layer, a high temperature
polysilicon layer 16.
According to the third embodiment, a dielectrically separated wafer and a
fabrication method for the same is provided in which the surface between
dielectrically separated islands is flattened by polishing the surface of
the dielectrically separated wafer only the amount needed for the surface
of a dielectrically separated wafer to become a flat surface between
dielectrically separated silicon islands 10A, without projections or
indentations.
Una oblea dielectrically separada y un método de la fabricación igual se proporcionan según las primeras, segundas y terceras encarnaciones de la actual invención. Según la primera encarnación, llega a ser posible ampliar el área superficial de la fabricación del dispositivo de las islas dielectrically separadas del silicio laminando una capa baja de la impureza de la concentración incluyendo un dopant de la misma conductividad en una alta capa de la impureza de la concentración formada en el fondo de la isla. Según la segunda encarnación, una oblea dielectrically separada y un método de la fabricación para igual que pueden crecer una capa del polysilicon sin producir vacíos en la capa dielectrically de separación del óxido es proporcionada formando una capa del polysilicon de la semilla en la baja temperatura y bajo presión baja y formando, en la capa del polysilicon de la semilla, una capa de alta temperatura 16 del polysilicon. Según la tercera encarnación, una oblea dielectrically separada y un método de la fabricación para igual se proporciona en las cuales la superficie entre las islas dielectrically separadas es aplanada puliendo la superficie de la oblea dielectrically separada solamente la cantidad necesitada para la superficie de una oblea dielectrically separada convertirse en una superficie plana entre las islas dielectrically separadas 10A del silicio, sin proyecciones o muescas.
