A conductor film and a cap insulating film are sequentially formed, and a
laminated film constituted of the cap insulating film and the conductor
film is patterned, and then a gate electrode is formed. Next, source and
drain diffusion regions are formed, and a first silicon nitride film is
formed on a sidewall of the laminated film, and then a second silicon
nitride film is formed on an entire surface, and further a silicon oxide
film is deposited. Next, the silicon oxide film is left between the gate
electrodes, and the second silicon nitride film on the laminated film is
removed, and the cap insulating film left above the gate electrode is
removed, and a metal silicide film is formed on a surface of the gate
electrode, and then a third silicon nitride film is left on the gate
electrode.
Un film de conducteur et un film isolant de chapeau sont séquentiellement formés, et un film stratifié constitué du film isolant de chapeau et du film de conducteur est modelé, et alors une électrode de porte est formée. Après, la source et les régions de diffusion de drain sont formées, et un premier film de nitrure de silicium est formé sur une paroi latérale du film stratifié, et alors un deuxième film de nitrure de silicium est formé sur une surface entière, et plus loin un film d'oxyde de silicium est déposé. Après, le film d'oxyde de silicium est laissé entre les électrodes de porte, et le deuxième film de nitrure de silicium sur le film stratifié est enlevé, et le film isolant de chapeau à gauche au-dessus de l'électrode de porte est enlevé, et un film de siliciure en métal est formé sur une surface de l'électrode de porte, et alors un troisième film de nitrure de silicium est laissé sur l'électrode de porte.
