A local SONOS structure having a two-piece gate and a self-aligned ONO
structure includes: a substrate; an ONO structure on the substrate; a
first gate layer on and aligned with the ONO structure; a gate insulator
on the substrate aside the ONO structure; and a second gate layer on the
first gate layer and on the gate insulator. The first and second gate
layers are electrically connected together. Together, the ONO structure
and first and second gate layers define at least a 1-bit local SONOS
structure. A corresponding method of manufacture includes: providing a
substrate; forming an ONO structure on the substrate; forming a first gate
layer on and aligned with the ONO structure; forming a gate insulator on
the substrate aside the ONO structure; forming a second gate layer on the
first gate layer and on the gate insulator; and electrically connecting
the first and second gate layers.
Μια τοπική δομή SONOS που έχουν μια two-piece πύλη και μια μόνος-ευθυγραμμισμένη δομή ONO περιλαμβάνουν: ένα υπόστρωμα μια δομή ONO στο υπόστρωμα ένα πρώτο στρώμα πυλών επάνω και ευθυγραμμισμένος με τη δομή ONO ένας μονωτής πυλών στο υπόστρωμα κατά μέρος η δομή ONO και ένα δεύτερο στρώμα πυλών στο πρώτο στρώμα πυλών και στο μονωτή πυλών. Τα πρώτα και δεύτερα στρώματα πυλών συνδέονται ηλεκτρικά. Μαζί, η δομή ONO και πρώτα και τα δεύτερα στρώματα πυλών καθορίζουν τουλάχιστον μια τοπική δομή SONOS 1-κομματιών. Μια αντίστοιχη μέθοδος κατασκευής περιλαμβάνει: παροχή ενός υποστρώματος διαμόρφωση μιας δομής ONO στο υπόστρωμα διαμορφώνοντας ένα πρώτο στρώμα πυλών επάνω και ευθυγραμμισμένος με τη δομή ONO διαμορφώνοντας έναν μονωτή πυλών στο υπόστρωμα κατά μέρος η δομή ONO διαμορφώνοντας ένα δεύτερο στρώμα πυλών στο πρώτο στρώμα πυλών και στο μονωτή πυλών και συνδέοντας ηλεκτρικά τα πρώτα και δεύτερα στρώματα πυλών.
