A semiconductor device has a structure in which an impurity diffusion
region with an impurity concentration lower than an impurity concentration
of a source and a drain is formed between the source and drain and a
channel below the gate, having an asymmetric shape with respect to a
center line along which the gate extends.
Ein Halbleiterelement hat eine Struktur, in der eine Verunreinigung Diffusion (Zerstäubung) Region mit einer Störstellenkonzentation, die als eine Störstellenkonzentation einer Quelle und des Abflusses niedriger ist, zwischen der Quelle und der Abfluß und eine Führung unterhalb des Gatters gebildet wird, eine asymetrische Form in Bezug auf eine Mittelachse zu haben, entlang der das Gatter verlängert.
