In SOI integrated circuits having trench capacitor DRAM arrays, the
decreasing thickness of the insulating layer causes cross-talk between the
passing wordline traveling over the trench capacitor. Increasing the depth
of the recess at the top of the trench and undercutting the insulating
layer laterally permits the buried strap from the capacitor center
electrode to make contact to the back side of the SOI layer, thereby
increasing the vertical separation between the passing wordline and the
strap.
In den SOI integrierten Schaltungen, die Grabenkondensator DRAM-Reihen haben, verursacht die abnehmende Stärke der Isolierschicht Übersprechen zwischen dem überschreitenen wordline, das über den Grabenkondensator reist. Die Erhöhung der Tiefe der Aussparung an der Oberseite des Grabens und das Unterschneiden der Isolierschicht ermöglicht seitlich den begrabenen Bügel von der Kondensatormitteelektrode, Kontakt zu bilden der Rückseite der SOI Schicht, dadurch sieerhöht sieerhöht die vertikale Trennung zwischen dem überschreitenen wordline und dem Bügel.
