A semiconductor device, such as an inverted staggered thin film transistor,
includes a gate electrode, a gate insulating layer located above the gate
electrode, an active layer located above the gate insulating layer and an
insulating fill layer located above the active layer. A first opening and
a second opening are located in the insulating fill layer, a first source
or drain electrode is located in the first opening and a second source or
drain electrode is located in the second opening. At least one of the
first and the second source or drain electrodes comprise a polysilicon
layer and a metal silicide layer.
Μια συσκευή ημιαγωγών, όπως μια τρικλισμένη κρυσταλλολυχνία λεπτών ταινιών, περιλαμβάνει ένα ηλεκτρόδιο πυλών, ένα στρώμα μόνωσης πυλών που βρίσκεται επάνω από το ηλεκτρόδιο πυλών, ένα ενεργό στρώμα που βρίσκεται επάνω από το στρώμα μόνωσης πυλών και μια μόνωση γεμίζει το στρώμα που βρίσκεται επάνω από το ενεργό στρώμα. Ένα πρώτο άνοιγμα και ένα δεύτερο άνοιγμα βρίσκονται στη μόνωση γεμίζουν το στρώμα, ένα πρώτο ηλεκτρόδιο πηγής ή αγωγών βρίσκεται στο πρώτο άνοιγμα και ένα δεύτερο ηλεκτρόδιο πηγής ή αγωγών βρίσκεται στο δεύτερο άνοιγμα. Τουλάχιστον ένα από το πρώτο και τα δεύτερα ηλεκτρόδια πηγής ή αγωγών περιλαμβάνει ένα στρώμα πολυπυρίτιων και ένα στρώμα μεταλλικής ένωσης πυριτίου μετάλλων.
