A semiconductor component includes a semiconductor substrate (210) having a
first conductivity type, a semiconductor epitaxial layer (220) having the
first conductivity type located over the semiconductor substrate, a first
semiconductor device (110) and a second semiconductor device (130) located
in the semiconductor epitaxial layer and including, respectively, a first
semiconductor region (120) and a second semiconductor region (140), both
having the second conductivity type, an ohmic contact region (150) in the
semiconductor epitaxial layer having the first conductivity type and
located between the first and second semiconductor devices, and at least
one electrically insulating trench (160, 360) located in the semiconductor
epitaxial layer and circumscribing at least the first semiconductor
device. The semiconductor epitaxial layer has a doping concentration lower
than a doping concentration of the semiconductor substrate.
Un componente a semiconduttore include un substrato a semiconduttore (210) che ha un primo tipo di conducibilità, uno strato epitassiale a semiconduttore (220) che ha il primo tipo di conducibilità situato sopra il substrato a semiconduttore, un primo dispositivo a semiconduttore (110) e un secondo dispositivo a semiconduttore (130) situato nello strato epitassiale a semiconduttore ed includente, rispettivamente, in una prima regione a semiconduttore (120) ed in una seconda regione a semiconduttore (140), in entrambe che hanno il secondo tipo di conducibilità, una regione ohmica del contatto (150) nello strato epitassiale a semiconduttore che ha il primo tipo di conducibilità e situato fra i primi e secondi dispositivi a semiconduttore ed almeno una trincea elettricamente isolante (160, 360) situati nello strato epitassiale a semiconduttore e nella circoscrizione almeno del primo dispositivo a semiconduttore. Lo strato epitassiale a semiconduttore ha una concentrazione di verniciatura più basso di una concentrazione di verniciatura del substrato a semiconduttore.
