Semiconductor component with substrate injection protection structure

   
   

A semiconductor component includes a semiconductor substrate (210) having a first conductivity type, a semiconductor epitaxial layer (220) having the first conductivity type located over the semiconductor substrate, a first semiconductor device (110) and a second semiconductor device (130) located in the semiconductor epitaxial layer and including, respectively, a first semiconductor region (120) and a second semiconductor region (140), both having the second conductivity type, an ohmic contact region (150) in the semiconductor epitaxial layer having the first conductivity type and located between the first and second semiconductor devices, and at least one electrically insulating trench (160, 360) located in the semiconductor epitaxial layer and circumscribing at least the first semiconductor device. The semiconductor epitaxial layer has a doping concentration lower than a doping concentration of the semiconductor substrate.

Un componente a semiconduttore include un substrato a semiconduttore (210) che ha un primo tipo di conducibilità, uno strato epitassiale a semiconduttore (220) che ha il primo tipo di conducibilità situato sopra il substrato a semiconduttore, un primo dispositivo a semiconduttore (110) e un secondo dispositivo a semiconduttore (130) situato nello strato epitassiale a semiconduttore ed includente, rispettivamente, in una prima regione a semiconduttore (120) ed in una seconda regione a semiconduttore (140), in entrambe che hanno il secondo tipo di conducibilità, una regione ohmica del contatto (150) nello strato epitassiale a semiconduttore che ha il primo tipo di conducibilità e situato fra i primi e secondi dispositivi a semiconduttore ed almeno una trincea elettricamente isolante (160, 360) situati nello strato epitassiale a semiconduttore e nella circoscrizione almeno del primo dispositivo a semiconduttore. Lo strato epitassiale a semiconduttore ha una concentrazione di verniciatura più basso di una concentrazione di verniciatura del substrato a semiconduttore.

 
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