Semiconductor integrated circuit device with connections formed using a conductor embedded in a contact hole

   
   

The metal layers embedded into the contact holes of various kinds in shape are used as the lines and are employed as the lines for controlling the substrate bias. The first-layer metal line layers are made thin so as to be also employed as the lines for controlling the substrate bias. Moreover, the second-layer metal line layers are employed as the copper line layers. Thereby, a semiconductor integrated circuit which allows a high-speed and low-power operation is provided with a small area and without increasing the number of the masks.

Слои металла врезанные в отверстия контакта различных видов в форме использованы как линии и использованы как линии для контролировать смещение субстрата. Слои линии металла перв-slo4 сделаны тонким также быть использованным как линии для контролировать смещение субстрата. Сверх того, слои линии металла втор-slo4 использованы как медные слои линии. Таким образом, цепь полупроводника интегрированная которая позволяет высокую скорость и малоэнергичную деятельность обеспечена с малой областью и без увеличивать число маск.

 
Web www.patentalert.com

< Tunnel magnetoresistive effect element, method of manufacturing tunnel magnetoresistive effect element and magnetic memory device

< Electroabsorption modulator, modulator laser device and method for producing an electroabsorption modulator

> Semiconductor device comprising capacitor

> Semiconductor component with substrate injection protection structure

~ 00142