A conductive film forming a capacitor lower electrode has portions
extending perpendicularly to the main surface of a semiconductor substrate
and a portion extending in parallel with the main surface of the
semiconductor substrate. An insulator film forming a capacitor dielectric
film is provided along the surface of a recess portion defined by the
conductive film. Another conductive film forming a capacitor upper
electrode is embedded in a recess portion of the insulator film. The
conductive film and a wiring layer are formed on the same layer, so that
the wiring layer functions as a dummy pattern of a capacitor having the
conductive films. Consequently, a semiconductor device having a capacitor
capable of increasing the electrostatic capacitance and reducing the
quantity of the material forming the dummy pattern without occupying a
large area in the direction parallel to the main surface of the
semiconductor substrate is obtained.
Uma película condutora que dá forma do capacitor a um elétrodo mais baixo tem parcelas estender perpendicular à superfície principal de uma carcaça do semicondutor e de uma parcela que estendem na paralela com a superfície principal da carcaça do semicondutor. Uma película do isolador que dá forma a uma película dieléctrica do capacitor é fornecida ao longo da superfície de uma parcela do rebaixo definida pela película condutora. Uma outra película condutora que dá forma a um elétrodo superior do capacitor é encaixada em uma parcela do rebaixo da película do isolador. A película condutora e uma camada da fiação são dadas forma na mesma camada, de modo que a camada da fiação funcione como um teste padrão dummy de um capacitor que tem as películas condutoras. Conseqüentemente, um dispositivo de semicondutor que tem um capacitor capaz de aumentar a capacidade eletrostática e de reduzir a quantidade do material que dá forma ao teste padrão dummy sem ocupar uma área grande no sentido paralelo à superfície principal da carcaça do semicondutor é obtido.
