A semiconductor device is provided with a memory cell. The semiconductor
device includes a first gate-gate electrode layer, a second gate-gate
electrode layer, a first drain-drain wiring layer, a second drain-drain
wiring layer, a first drain-gate wiring layer and a second drain-gate
wiring layer. The first drain-gate wiring layer and an upper layer and a
lower layer of the second drain-gate wiring layer are located in different
layers, respectively.
Σε μια συσκευή ημιαγωγών παρέχεται ένα κύτταρο μνήμης. Η συσκευή ημιαγωγών περιλαμβάνει ένα πρώτο στρώμα ηλεκτροδίων πύλη-πυλών, ένα δεύτερο στρώμα ηλεκτροδίων πύλη-πυλών, ένα πρώτο στρώμα καλωδίωσης αγωγός-αγωγών, ένα δεύτερο στρώμα καλωδίωσης αγωγός-αγωγών, ένα πρώτο στρώμα καλωδίωσης αγωγός-πυλών και ένα δεύτερο στρώμα καλωδίωσης αγωγός-πυλών. Το πρώτο στρώμα καλωδίωσης αγωγός-πυλών και ένα ανώτερο στρώμα και ένα χαμηλότερο στρώμα του δεύτερου στρώματος καλωδίωσης αγωγός-πυλών βρίσκονται στα διαφορετικά στρώματα, αντίστοιχα.
