A wafer of the invention is a silicon wafer of 0.02 .OMEGA.cm or less in
resistivity for deposition of an epitaxial layer, and the number of
crystal originated particles (COP) and the number of interstitial-type
large dislocation loops (L/D) are respectively 0 to 10 per wafer. A wafer
of the invention is an epitaxial wafer having an epitaxial layer being 0.1
.OMEGA.cm or more in resistivity and 0.5 to 5 .mu.m in thickness formed on
this wafer by means of a CVD method. A wafer of the invention is OSF-free
and hardly makes traces of COP and L/D appear on the surface of an
epitaxial layer when the epitaxial layer is formed. By heat treatment in a
semiconductor device manufacturing process after the epitaxial layer is
formed, BMDs occur uniformly and highly in density in the wafer and a
uniform IG effect can be obtained in the wafer.
Une gaufrette de l'invention est une gaufrette de silicium de 0.02 OMEGA.cm Ou de moins dans la résistivité pour le dépôt d'une couche épitaxiale, et le nombre de particules lancées par cristal (CANNETTE DE FIL) et le nombre d'interstitiel-type les grandes boucles de dislocation (L/D) sont respectivement 0 à 10 par gaufrette. Une gaufrette de l'invention est une gaufrette épitaxiale ayant une couche épitaxiale être 0.1 OMEGA.cm Ou plus dans la résistivité et le mu.m 0.5 à 5 d'épaisseur formée sur cette gaufrette au moyen d'une méthode de CVD. Une gaufrette de l'invention est OSF-libre et à peine les traces de marques de la CANNETTE DE FIL et du L/D apparaissent sur la surface d'une couche épitaxiale quand la couche épitaxiale est formée. Par traitement thermique dans un processus de fabrication de dispositif de semi-conducteur après que la couche épitaxiale soit formée, BMDs se produisent uniformément et fortement en densité dans la gaufrette et l'uniforme IG un effet peut être obtenu en gaufrette.
