An image sensor is disclosed. The image sensor includes a plurality of
pixels formed in a semiconductor substrate, each pixel including a light
sensitive element. Further, a multilayer stack is formed over the pixels,
the multilayer stack adapted to filter incident light in the infrared
region. Finally, micro-lenses are formed over the multilayer stack and
over the light sensitive element.
Ένας αισθητήρας εικόνας αποκαλύπτεται. Ο αισθητήρας εικόνας περιλαμβάνει μια πολλαπλότητα των εικονοκυττάρων που διαμορφώνονται σε ένα υπόστρωμα ημιαγωγών, κάθε εικονοκύτταρο συμπεριλαμβανομένου ενός φωτοευαίσθητου στοιχείου. Περαιτέρω, ένας πολυστρωματικός σωρός διαμορφώνεται πέρα από τα εικονοκύτταρα, ο πολυστρωματικός σωρός που προσαρμόζεται στο συναφές φως φίλτρων στην υπέρυθρη περιοχή. Τέλος, οι μικροϋπολογιστής-φακοί διαμορφώνονται πέρα από τον πολυστρωματικό σωρό και πέρα από το φωτοευαίσθητο στοιχείο.
