Sulfonium salt and use thereof

   
   

The present invention provides a sulfonium salt represented by the following formula (I): ##STR1## wherein Q.sup.1, Q.sup.2 and Q.sup.3 each independently represent hydrogen, hydroxy, alkyl having 1 to 6 carbon atoms, or alkoxy having 1 to 6 carbon atoms, but all of Q.sup.1, Q.sup.2 and Q.sup.3 are not the same; and Q.sup.4 and Q.sup.5 each independently represent perfluoroalkyl having 1 to 8 carbon atoms. The present invention also provides a chemical amplifying type positive resist composition having the sulfonium salt above and a resin which contains a structural unit having a group that is unstable to acid and which is insoluble or slightly soluble by itself in an aqueous alkali, but becomes soluble in the aqueous alkali by an action of acid. The present invention further provides a polymerization initiator composition having the sulfonium salt above and a sensitizer.

A invenção atual fornece um sal do sulfonium representado pela seguinte fórmula (i): ## do ## STR1 wherein Q.sup.1, Q.sup.2 e Q.sup.3 cada um representam independentemente o hidrogênio, hydroxy, o alkyl que tem 1 a 6 átomos de carbono, ou alkoxy tendo 1 a 6 átomos de carbono, mas todo o Q.sup.1, Q.sup.2 e Q.sup.3 não são os mesmos; e Q.sup.4 e Q.sup.5 cada um representam independentemente o perfluoroalkyl que tem 1 a 8 átomos de carbono. A invenção atual fornece também um tipo de amplificação químico positivo resiste a composição que tem o sal do sulfonium acima e uma resina que contenha uma unidade estrutural que tem um grupo que sejam instável ao ácido e que seja insoluble ou ligeiramente soluble por se em um alcalóide aqueous, mas se torne soluble no alcalóide aqueous por uma ação do ácido. A invenção atual mais adicional fornece uma composição do iniciador da polimerização que tem o sal do sulfonium acima e um sensitizer.

 
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< Polymers, chemical amplification resist compositions and patterning process

< Alicyclyc structure-containing resin composition

> Overcoating composition for photoresist and method for forming photoresist pattern using the same

> Preparation and use of EXO-2-fluoroalkyl(bicyclo[2.2.1] hept-5-enes)

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