Shallow trench isolation among transistors and other devices on a
semiconductor substrate is provided by initially forming a plurality of
light absorbing layers having a combined extinction coefficient >0.5.
As reflected light passes through the light absorbing layers, a
substantially amount of light is absorbed therein thereby blocking such
reflected light from negatively interfering with patterning of the
photoresist during photo-lithography. Following patterning of the
photoresist, isolation trenches are formed in the semiconductor substrate
by etching through the light absorbing layers and into the semiconductor
substrate in accordance with the pattern formed on the photoresist.
El aislamiento bajo del foso entre los transistores y otros dispositivos en un substrato del semiconductor es proporcionado inicialmente formando una pluralidad de capas absorbentes ligeras que tienen un coeficiente combinado 0.5 de la extinción. Mientras que la luz reflejada pasa con las capas absorbentes ligeras, una cantidad de luz se absorbe substancialmente en esto de tal modo que bloquea tal luz reflejada negativamente de interferir con modelar del photoresist durante fotolitografía. El modelar de siguiente del photoresist, fosos del aislamiento es formado en el substrato del semiconductor grabando al agua fuerte con las capas absorbentes ligeras y en el substrato del semiconductor de acuerdo con el patrón formado en el photoresist.
