One embodiment of the present invention provides a system that uses an
exposure through a second mask to assist an exposure through a phase
shifting mask in printing a tight space adjacent to a large feature.
During operation, the system exposes a photoresist layer on the surface of
a semiconductor wafer through the phase-shifting mask. This phase-shifting
mask includes phase shifters that define a space between a first feature
and a second feature, wherein the first feature is so large that the
effectiveness of phase shifting is degraded in defining the space.
Moreover, the degradation in phase shifting and the tightness of the space
cause the space not to print reliably when exposed through the phase
shifting mask alone. To alleviate this problem the system exposes the
photoresist layer through the second mask, wherein the exposure through
the second mask assists in exposing the space between the first feature
and the second feature so that the space prints reliably.
Un mode de réalisation de la présente invention fournit un système qui emploie une exposition par un deuxième masque à l'aide une exposition par un masque de déphasage en imprimant un espace serré à côté d'un grand dispositif. Lors du fonctionnement, le système expose une couche de vernis photosensible sur la surface d'une gaufrette de semi-conducteur par le masque dedécalage. Ce masque dedécalage inclut les machinistes de phase qui définissent un espace entre un premier dispositif et un deuxième dispositif, où le premier dispositif est si grand que l'efficacité de déphasage soit dégradée en définissant l'espace. D'ailleurs, la dégradation dans déphasage et l'étanchéité de la cause de l'espace l'espace pour ne pas imprimer sûrement une fois exposé par seul le masque de déphasage. Pour alléger ce problème le système expose la couche de vernis photosensible par le deuxième masque, où l'exposition par le deuxième masque aide à exposer l'espace entre le premier dispositif et le deuxième dispositif de sorte que l'espace imprime sûrement.
