A method for forming a desired junction profile in a semiconductor device.
At least one dopant is introduced into a semiconductor substrate. The at
least one dopant is diffused in the semiconductor substrate through
annealing the semiconductor substrate and the at least one dopant while
simultaneously exposing the semiconductor substrate to an electric field.
Μια μέθοδος για ένα επιθυμητό σχεδιάγραμμα συνδέσεων σε μια συσκευή ημιαγωγών. Τουλάχιστον ένα υλικό πρόσμιξης εισάγεται σε ένα υπόστρωμα ημιαγωγών. Το τουλάχιστον ένα υλικό πρόσμιξης διασκορπίζεται στο υπόστρωμα ημιαγωγών μέσω της ανόπτησης του υποστρώματος ημιαγωγών και του τουλάχιστον ενός υλικού πρόσμιξης ταυτόχρονα εκθέτοντας το υπόστρωμα ημιαγωγών σε ένα ηλεκτρικό πεδίο.
