The linearity of a wideband RF power transistor amplifier is improved by
including output matching circuit and an integrated bias/RF diplexer with
RF and video bypassing capacitor network within the transistor package and
connected directly to the transistor. By placing the RF and video bypass
power supply circuitry within the package and close to the transistor, the
input impedance resonance can be increased from approximately 50 MHz to
over 125 MHz, thereby reducing AM/PM distortion in the output signal.
La linéarité d'un amplificateur à large bande de transistor de puissance de rf est améliorée en incluant le circuit d'assortiment de rendement et un diplexer intégré de bias/RF avec le rf et le réseau déviant visuel de condensateur dans le paquet de transistor et reliée directement au transistor. En plaçant le rf et la vidéo déviez les circuits d'alimentation d'énergie dans le paquet et près du transistor, la résonance d'impédance d'entrée peut être augmentée d'approximativement 50 mégahertz à plus de 125 mégahertz, réduisant de ce fait la déformation d'AM/PM dans le signal de sortie.
