A slurry for chemical mechanical polishing (CMP) of a copper or silver
containing film provides at least one reactant for reacting with the
copper or silver film to form a soft layer on the surface of the copper or
silver film. The soft layer has a hardness less than the copper or silver
film. The slurry preferably includes either no particles or particles
which are softer than the copper or silver layer. A method for chemical
mechanical polishing (CMP) a copper or silver containing film includes the
steps of providing a slurry for reacting with the copper or silver film to
form a soft layer on the surface of the copper or silver film and uses
either no particles or particles softer than the copper or silver film,
applying the slurry to the copper or silver film to form the soft layer,
and removing the soft layer using a polishing pad.
Una mezcla para pulir mecánico químico (CMP) de un cobre o de una película que contiene de plata proporciona por lo menos un reactivo para reaccionar con la película del cobre o de la plata para formar una capa suave en la superficie de la película del cobre o de la plata. La capa suave tiene una dureza menos que la película del cobre o de la plata. La mezcla no incluye preferiblemente ninguna partícula o las partículas que sean más suaves que la capa del cobre o de la plata. Un método para mecánico químico puliendo (CMP) un cobre o una película que contiene de plata incluye los pasos de proporcionar una mezcla para reaccionar con la película del cobre o de la plata para formar una capa suave en la superficie de la película del cobre o de la plata y no utiliza ninguna partícula o las partículas más suaves que la película del cobre o de la plata, aplicando la mezcla a la película del cobre o de la plata para formar la capa suave, y quitando la capa suave usando un cojín que pule.
