The semiconductor light emitting device has a gallium nitride base compound
semiconductor layer expressed by a general formula of In.sub.x Ga.sub.y
Al.sub.z N (x+y+z=1, 0.ltoreq.x.ltoreq.1, 0.ltoreq.y.ltoreq.1,
0.ltoreq.z.ltoreq.1). A second intermediate layer is provided between a
GaN layer and a light emitting layer, and the second intermediate layer
has a lattice constant closer to that of the light emitting layer than
that of the GaN layer. As such, when a substrate such as Si substrate
having a smaller coefficient of thermal expansion than the nitride
semiconductor film is employed, occurrence of cracks is prevented and good
crystallinity of the nitride semiconductor film is assured, and
accordingly, a long-life and high-luminance nitride base semiconductor
light emitting device is obtained.
Η ελαφριά εκπέμποντας συσκευή ημιαγωγών εκφράζει ένα σύνθετο στρώμα ημιαγωγών βάσεων νιτριδίων γαλλίου από έναν γενικό τύπο In.sub.x Ga.sub.y Al.sub.z ν (x+y+z=1, 0.ltoreq.x.ltoreq.1, 0.ltoreq.y.ltoreq.1, 0.ltoreq.z.ltoreq.1). Ένα δεύτερο ενδιάμεσο στρώμα παρέχεται μεταξύ ενός στρώματος GaN και ενός ελαφριού στρώματος εκπομπής, και το δεύτερο ενδιάμεσο στρώμα έχει ένα δικτυωτό πλέγμα σταθερό πιό κοντά σε αυτό του ελαφριού στρώματος εκπομπής από αυτό του στρώματος GaN. Υπό αυτήν τη μορφή, όταν χρησιμοποιείται ένα υπόστρωμα όπως το υπόστρωμα Si που έχει έναν μικρότερο συντελεστή της θερμικής επέκτασης από την ταινία ημιαγωγών νιτριδίων, το περιστατικό των ρωγμών αποτρέπεται και η καλή διαύγεια της ταινίας ημιαγωγών νιτριδίων βεβαιώνεται, και αναλόγως, ένας ημιαγωγός βάσεων μακράς διαρκείας και νιτριδίων υψηλός-φωτεινότητας που η ελαφριά εκπέμποντας συσκευή λαμβάνεται.
