A plasma etching electrode for dry etching devices for production of
semiconductor devices. The plasma etching electrode is prevented from
contamination with impurities, provides good thermal and electrical
conductance and heat resistance at the joint between the electrode plate
and pedestal (or supporting ring), and hence improves etching
characteristics and silicon wafer yield. The highly heat-resistant plasma
etching electrode includes an electrode plate of silicon which is
supported by and uniformly joined to a pedestal by an adhesive. The
pedestal is made of graphite. The adhesive includes an epoxy resin
containing polycarbodiimide resin and carbon powder. A dry etching device
including the electrode is also described.
Um elétrodo gravura a água-forte do plasma para dispositivos secos gravura a água-forte para a produção de dispositivos de semicondutor. O elétrodo gravura a água-forte do plasma é impedido da contaminação com impurezas, fornece a resistência térmica e elétrica boa do conductance e de calor na junção entre a placa do elétrodo e o suporte (ou o anel suportando), e daqui melhora características gravura a água-forte e rendimento do wafer de silicone. O elétrodo altamente resistente ao calor gravura a água-forte do plasma inclui uma placa do elétrodo do silicone que é suportado perto e juntado uniformemente a um suporte por um adesivo. O suporte é feito da grafita. O adesivo inclui uma resina epoxy que contem o pó da resina e do carbono do polycarbodiimide. Um dispositivo seco gravura a água-forte including o elétrodo é descrito também.
