Hollow airtight semiconductor device package

   
   

The present invention comprises a first main face (22a) on the surface side of a substrate (21a). An island portion (26) is formed on the first main face (22a) and a semiconductor chip (29), etc. are adhered onto the first main face (22a). The semiconductor chip (29), etc. are sealed in a hollow space made by a column portion (23) and a transparent glass plate (36). Then, the column portion (23) and the glass plate (36) are adhered by the light-shielding adhesive resin made of epoxy resin. Accordingly, there can be provided the semiconductor device and a method of manufacturing the same, which can prevent the direct incidence of the light onto the semiconductor chip (29) and the degradation of the characteristic of the semiconductor chip (29) can be suppressed.

La actual invención abarca una primera cara principal (22a) en el lado superficial de un substrato (21a). Una porción de la isla (26) se forma en la primera cara principal (22a) y una viruta del semiconductor (29), los etc. se adhieren sobre la primera cara principal (22a). La viruta del semiconductor (29), los etc. se sellan en un espacio hueco hecho por una porción de la columna (23) y una placa de cristal transparente (36). Entonces, la porción de la columna (23) y la placa de cristal (36) son adheridas por la resina adhesiva luz-que blinda hecha de la resina de epoxy. Por consiguiente, allí se puede proporcionar el dispositivo de semiconductor y un método de fabricar igual, que pueden prevenir la incidencia directa de la luz sobre la viruta del semiconductor (29) y la degradación de la característica de la viruta del semiconductor (29) puede ser suprimida.

 
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> High-frequency semiconductor device

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