A high-frequency semiconductor device is provided with a ceramic substrate,
an element group including semiconductor elements and passive components
mounted onto a bottom portion of the ceramic substrate, and a composite
resin material layer formed on the bottom portion of the ceramic substrate
so as to bury the element group. The composite resin material layer is
formed by a composite resin material including an epoxy resin and an
inorganic filler material, and has a flat bottom surface on which
electrodes for connecting to the outside are formed. As packaging of a
structure in which the receiving system and the transmitting system are
formed in a single unit, such as an RF module, the high-frequency
semiconductor device achieves a small size, a high mounting density, and
excellent heat release properties.
Высокочастотный прибора на полупроводниках обеспечен при керамический субстрат, группа элемента включая элементы полупроводника и пассивные компоненты установленные на нижнюю часть керамического субстрата, и слой составной смолаы материальный сформированный на нижней части керамического субстрата для того чтобы похоронить группа природная стихия. Слой составной смолаы материальный сформирован составным материалом смолаы включая epoxy смолау и неорганическим материалом заполнителя, и имеет плоскую нижнюю поверхность на которой сформированы электроды для соединяться к снаружи. Как упаковывать структуры в получая система и передавая система сформированы в одиночном блоке, such as модуль rf, высокочастотном прибора на полупроводниках достигает малого размера, высокой плотности установки, и превосходных свойств отпуска жары.
