Shallow trench isolation methods and corresponding structures are
disclosed. According to one embodiment (900) a nitride layer (1006),
having an opening (1014), is formed over a silicon substrate (1002). The
portion of the substrate (1002) below the opening (1014) is oxidized to
form a substrate consuming rounding oxide layer (1018). The formation of
the rounding oxide layer (1018) results in rounded edges in the substrate
(1002). An isotropic, or alternatively, an anisotropic rounding oxide etch
removes the rounding oxide layer (1018) to expose the substrate (1002). A
trench (1026) can be formed by applying a silicon etch using the nitride
layer (1006) as an etch mask. The trench (1026) can be subsequently filled
with a deposited trench isolation material (1030).
De ondiepe methodes van de geulisolatie en de overeenkomstige structuren worden onthuld. Volgens één belichaming (900) een nitridelaag (1006), hebbend het openen (1014) wordt, gevormd over een siliciumsubstraat (1002). Het gedeelte van substraat (1002) onder openings (1014) is geoxydeerd om een substraat te vormen dat oxydelaag verbruikt rond maakt (1018). De vorming van het rond maken oxydelaag (1018) resulteert in rond gemaakte randen in het substraat (1002). Isotroop, of alternatief, een anisotroop rond makend oxyde etst verwijdert het rond maken oxydelaag (1018) om het substraat (1002) bloot te stellen. Een geul (1026) kan worden gevormd door een silicium toe te passen etst het gebruiken van nitridelaag (1006) aangezien masker ets. Geul (1026) kan later met een gedeponeerd materiaal van de geulisolatie worden gevuld (1030).
