A method of improving adhesion of a cap oxide to nanoporous silica for
integrated circuit fabrication. In one embodiment, the method comprises
several steps. The first step is to receive a wafer in a deposition
chamber. Then a porous layer of material is deposited on the wafer. Next,
a portion of the porous layer is densified in order to make it more
compatible for adhesion to a cap layer. Finally, a cap layer is deposited
onto the porous layer.
Метод улучшать прилипание окиси крышки к nanoporous кремнезему для изготовления интегрированной цепи. В одном воплощении, метод состоит из нескольких шагов. Первыйа шаг должен получить вафлю в камере низложения. После этого пористый слой материала депозирован на вафле. Затем, часть пористого слоя densified для того чтобы сделать ее более совместимым для прилипания к слою крышки. Окончательно, слой крышки депозирован на пористый слой.
