A ferroelectric memory device along with a method of forming the same are
provided. A first interlayer insulating layer is formed on a semiconductor
substrate. A buried contact structure is formed on the first interlayer
insulating layer. The buried contact structure is electrically connected
to the substrate through a first contact hole extending through the first
interlayer insulating layer. A blocking layer covers or encapsulates the
buried contact structure and the first interlayer insulating layer. A
second interlayer insulating layer is formed on the blocking layer. A
ferroelectric capacitor formed on the second interlayer insulating layer
and is electrically connected to the buried contact structure through a
second contact hole that penetrates the second interlayer insulating layer
and the blocking layer.
Ein ferroelectric größtintegriertes Speicherbauelement zusammen mit einer Methode der Formung dasselbe werden zur Verfügung gestellt. Eine Isolierschicht der ersten Zwischenlage wird auf einem Halbleitersubstrat gebildet. Eine begrabene Kontaktstruktur wird auf der Isolierschicht der ersten Zwischenlage gebildet. Die begrabene Kontaktstruktur wird elektrisch an das Substrat durch eine erste Kontaktbohrung angeschlossen, die durch die Isolierschicht der ersten Zwischenlage verlängert. Eine blockierende Schicht umfaßt oder kapselt die begrabene Kontaktstruktur und die Isolierschicht der ersten Zwischenlage ein. Eine Isolierschicht der zweiten Zwischenlage wird auf der blockierenden Schicht gebildet. Ein ferroelectric Kondensator, der auf der Isolierschicht der zweiten Zwischenlage gebildet wird und wird elektrisch an die begrabene Kontaktstruktur durch eine zweite Kontaktbohrung angeschlossen, die die Isolierschicht der zweiten Zwischenlage und die blockierende Schicht eindringt.
