A semiconductor wafer and a method for fabricating a semiconductor wafer
having improved dicing lanes are provided. The dicing lanes include
grooves formed by photolithography and etching processes. The wafer also
includes a plating layer on a back side of the wafer to facilitate bonding
of individual circuit chips to a suitable substrate and to effect
efficient heat transfer between the chip and the substrate.
Photolithography and etching processes are employed to etch horizontal and
vertical lanes in the plating layer to facilitate breaking of the
individual chips from the wafer. The horizontal and vertical lanes etched
in the plating layer are coincident to the grooves etched in the
substrate. The wafer can then be broken into individual circuit chips by
applying stress to the back of the wafer, such that the wafer cleanly
breaks along the horizontal and vertical dicing lanes and the etched
grooves.
Μια γκοφρέτα ημιαγωγών και μια μέθοδος για μια γκοφρέτα ημιαγωγών που έχει βελτιώσει τις χωρίζοντας σε τετράγωνα παρόδους παρέχονται. Οι χωρίζοντας σε τετράγωνα πάροδοι περιλαμβάνουν τα αυλάκια που διαμορφώνονται από τη φωτολιθογραφία και χάραξη των διαδικασιών. Η γκοφρέτα περιλαμβάνει επίσης ένα στρώμα επένδυσης σε μια πίσω πλευρά της γκοφρέτας για να διευκολύνει τη σύνδεση των μεμονωμένων τσιπ κυκλωμάτων σε ένα κατάλληλο υπόστρωμα και στην αποδοτική μεταφορά θερμότητας επίδρασης μεταξύ του τσιπ και του υποστρώματος. Οι διαδικασίες φωτολιθογραφίας και χαρακτικής υιοθετούνται για να χαράξουν τις οριζόντιες και κάθετες παρόδους στο στρώμα επένδυσης για να διευκολύνουν το σπάσιμο των μεμονωμένων τσιπ από την γκοφρέτα. Οι οριζόντιες και κάθετες πάροδοι που χαράζονται στο στρώμα επένδυσης είναι συμπίπτουσες στα αυλάκια που χαράζονται στο υπόστρωμα. Την γκοφρέτα μπορεί έπειτα να σπάσουν στα μεμονωμένα τσιπ κυκλωμάτων με την εφαρμογή της πίεσης στο πίσω μέρος της γκοφρέτας, έτσι ώστε η γκοφρέτα σπάζει καθαρά κατά μήκος των οριζόντιων και κάθετων χωρίζοντας σε τετράγωνα παρόδων και των χαραγμένων αυλακιών.
