An error recovery technique is used on marginal nonvolatile memory cells. A
marginal memory cell is unreadable because it has a voltage threshold (VT)
of less than zero volts. By biasing adjacent memory cells, this will shift
the voltage threshold of the marginal memory cells, so that it is a
positive value. Then the VT of the marginal memory cell can be determined.
The technique is applicable to both binary and multistate memory cells.
Метод восстановления при ошибках использован на предельные слаболетучей ячейкы памяти. Предельный ячейкы памяти нечитабелен потому что он имеет порог напряжения тока (VT) меньш чем zero вольтов. Путем склонять смежные ячейкы памяти, это перенесет порог напряжения тока предельные ячейкы памяти, так, что будет положительным значением. После этого VT предельный ячейкы памяти можно обусловить. Метод применим и к бинарных и multistate ячейкы памяти.
