To transfer signal charges at high speed with small noise, there is
provided a charge transfer apparatus including a semiconductor substrate
of one conductivity type, a charge transfer region of a conductivity type
opposite to that of the semiconductor substrate that is formed in the
semiconductor substrate and joined to the semiconductor substrate to form
a diode, a signal charge input portion which inputs a signal charge to the
charge transfer region, a signal charge output portion which accumulates
the signal charge transferred from the charge transfer region, and a
plurality of independent potential supply terminals which supply a
potential gradient to the semiconductor substrate, wherein the signal
charge in the charge transfer region is transferred by the potential
gradient formed by the plurality of potential supply terminals.
Per trasferire le spese del segnale all'alta velocità con rumore piccolo, è fornito un'apparecchiatura di trasferimento della carica compreso un substrato di un tipo di conducibilità, una regione a semiconduttore di trasferimento della carica di un tipo di conducibilità di fronte a quella del substrato a semiconduttore che è formato nel substrato a semiconduttore ed è unito al substrato a semiconduttore alla forma un diodo, una parte dell'input della carica del segnale che immette una carica del segnale alla regione di trasferimento della carica, ad una parte dell'uscita della carica del segnale che accumula la carica del segnale trasferita dalla regione di trasferimento della carica e ad una pluralità di terminali potenziali indipendenti del rifornimento che forniscono una pendenza potenziale al substrato a semiconduttore, in cui la carica del segnale nella regione di trasferimento della carica è trasferito dalla pendenza potenziale costituita dalla pluralità di terminali potenziali del rifornimento.
