Disclosed is a PIN photodiode used for a light-receiving element for
optical communication. The PIN photodiode comprises a gate electrode
structure consisting of a gate insulation layer and a gate electrode pad
which prevent a bonding layer from being excessively depleted in the
lateral direction at the time of applying a negative electric voltage to
an electrode that is in contact with the bonding layer. The PIN photodiode
allows the control of the electrostatic capacitance of the element by
controlling the depletion level of the bonding layer in the lateral
direction using the gate electrode pad. Therefore, it is possible to
suppress the increase of the electrostatic capacitance and to achieve a
high-speed operating property.
Onthuld wordt een fotodiode van de SPELD die voor een licht-ontvangt element voor optische mededeling wordt gebruikt. De fotodiode van de SPELD bestaat uit een structuur die van de poortelektrode uit een laag van de poortisolatie en een stootkussen bestaat van de poortelektrode die een laag plakkend bovenmatig uitgeput het zijn in de zijrichting op het tijdstip van het toepassen van een negatief elektrisch voltage op een elektrode verhinderen die in contact met de laag plakkend is. De fotodiode van de SPELD staat de controle van de elektrostatische capacitieve weerstand van het element door het uitputtingsniveau van toe de laag plakkend in de zijrichting te controleren gebruikend het stootkussen van de poortelektrode. Daarom is het mogelijk om de verhoging van de elektrostatische capacitieve weerstand te onderdrukken en een hoge snelheids werkend bezit te bereiken.
