Optical component and method manufacturing the same

   
   

The optical component includes a substrate made of a resin material, a silicon oxide film formed on a surface of the substrate, and a multilayer light reflection preventing film formed on the silicon oxide film, and having at least one layer of a low-refractive-index material and at least one layer of a high-refractive-index material being alternately formed. The silicon oxide film is thick and/or formed by introducing oxygen during film forming by vacuum deposition so that a preset elasticity is imparted to the silicon oxide film. Other optical component includes a substrate made of a resin material and a plurality of films formed by vacuum deposition, and directions of internal stresses in each adjacent pair of the plurality of films are different from each other or a thickness of an impurity existing on a surface of the substrate is 0.2 nm or less. The plurality of films are formed by performing melting of film forming materials other than a film forming material for a film formed on the surface of the substrate after the film is formed on the surface of the substrate.

De optische component omvat een substraat dat van een harsmateriaal, een film wordt gemaakt van het siliciumoxyde die op een oppervlakte van het substraat wordt gevormd, en een multilayer lichte bezinning die film verhindert die op de film van het siliciumoxyde wordt gevormd, en minstens één laag van een laag-brekings-indexmateriaal en minstens één laag van een hoog-brekings-indexmateriaal dat heeft afwisselend wordt gevormd. De film van het siliciumoxyde is dik en/of vormt zich die door zuurstof tijdens film te introduceren zich vormt door vacuümdeposito zodat een vooraf ingestelde elasticiteit aan de film van het siliciumoxyde wordt verleend. Andere optische component omvat een substraat die van een harsmateriaal wordt gemaakt en een meerderheid van films die door vacuümdeposito worden gevormd, en de richtingen van interne spanningen in elk aangrenzend paar van de meerderheid van films zijn verschillend van elkaar of een dikte van een onzuiverheid bestaand op een oppervlakte van het substraat is 0,2 NM of minder. De meerderheid van films wordt gevormd door het smelten van film uit te voeren vormt materialen buiten een film vormt materiaal voor een film die op de oppervlakte van het substraat wordt gevormd nadat de film op de oppervlakte van het substraat wordt gevormd.

 
Web www.patentalert.com

< Semiconductor device

< Semiconductor integrated circuit device and manufacture method therefore

> Semiconductor imaging device having a refractive index matching layer

> Storage capacitor structure for LCD and OELD panels

~ 00151