An NMOS transistor circuit has a surge protection circuit connected in
parallel with the NMOS transistor. A resistor is connected between a back
gate of the NMOS transistor and ground. As a result, an input impedance
higher than the input impedance of the surge protection circuit is applied
to a semiconductor terminal at the electrode pad side of the NMOS
transistor.
Ein NMOS Transistorstromkreis hat einen Schwankung Schutzstromkreis, der parallel zu dem NMOS Transistor angeschlossen wird. Ein Widerstand wird zwischen einem rückseitigen Gatter des NMOS Transistors und Boden angeschlossen. Infolgedessen wird ein Eingang Widerstand stark als der Eingang Widerstand des Schwankung Schutzstromkreises auf einen Halbleiteranschluß an der Elektrode Auflageseite des NMOS Transistors zugetroffen.
