A submicron CMOS transistor is mounted on the same substrate together with
an analog CMOS transistor, a high voltage-resistance MOS transistor, a
bipolar transistor, a diode, or a diffusion resistor, without degrading
the characteristics of these components. When a punch-through stopper area
is formed on a main surface side of a semiconductor substrate, an area in
which an analog CMOS transistor, a high voltage-resistance MOS transistor,
a bipolar transistor, a diode, or a diffusion resistor is formed is
masked, and for example, an ion injection is then carried out. Thus, a
punch-through stopper area is formed in the area in which a submicron CMOS
transistor is formed, while preventing the formation of a punch-through
stopper area in the area in which an analog CMOS transistor, a high
voltage-resistance MOS transistor, a bipolar transistor, a diode, or a
diffusion resistor is formed.
Un transistor submicronique de CMOS est monté sur le même substrat ainsi qu'un transistor analogue de CMOS, un haut transistor de MOS de tension-résistance, un transistor bipolaire, une diode, ou une résistance de diffusion, sans dégrader les caractéristiques de ces composants. Quand a poinçon-à travers le secteur de taquet est formé d'un côté extérieur principal d'un substrat de semi-conducteur, un secteur dans lequel un transistor analogue de CMOS, un haut transistor de MOS de tension-résistance, un transistor bipolaire, une diode, ou une résistance de diffusion est formée est masqué, et par exemple, une injection d'ion est alors effectuée. Ainsi, a poinçon-à travers le secteur de taquet est formé dans le secteur dans lequel un transistor submicronique de CMOS est formé, tout en empêchant la formation de a poinçon-à travers le secteur de taquet dans le secteur dans lequel un transistor analogue de CMOS, un haut transistor de MOS de tension-résistance, un transistor bipolaire, une diode, ou une résistance de diffusion est formé.
