In a semiconductor device in which a source/drain and a wiring layer are
connected to each other through an associated buried conductive layer, a
separation width of the buried conductive layer on a upper portion of a
gate electrode is made small in order to manufacture a highly reliable and
fine MOS transistor. After a silicon oxide film has been formed on a first
polycrystalline silicon film so as to be aligned with a width of a gate
electrode, a second polycrystalline silicon film formed on the whole
surface of a substrate is selectively etched away so as to be left only on
both side faces of a pattern of the silicon oxide film. Thereafter, the
first polycrystalline silicon film is separated with a width which is
smaller than that of the gate electrode by a width of a pattern of the
second polycrystalline silicon film. In such a way, the buried conductive
layer including the first and second polycrystalline silicon films is
formed.
In einem Halbleiterelement, in dem ein source/drain und eine Verdrahtung Schicht miteinander durch eine verbundene begrabene leitende Schicht angeschlossen werden, wird eine Trennung Breite der begrabenen leitenden Schicht auf einem oberen Teil einer Gate-Elektrode klein gebildet, um einen in hohem Grade zuverlässigen und feinen MOS Transistor herzustellen. Nachdem ein Silikonoxidfilm auf einem ersten polykristallinen Silikonfilm gebildet worden ist, damit mit einer Breite einer Gate-Elektrode ausgerichtet zu werden, wird ein zweiter polykristalliner Silikonfilm, der auf der vollständigen Oberfläche eines Substrates gebildet wird, selektiv weg geätzt, damit nur auf beiden seitlichen Gesichtern eines Musters des Silikonoxidfilmes gelassen zu werden. Danach wird der erste polykristalline Silikonfilm mit einer Breite getrennt, die kleiner als die der Gate-Elektrode durch eine Breite eines Musters des zweiten polykristallinen Silikonfilmes ist. In solch einer Weise wird die begrabene leitende Schicht einschließlich die ersten und zweiten polykristallinen Silikonfilme gebildet.
