A wafer having heterostructure therein is formed using a substrate with
recesses formed within a dielectric layer. A magnetized magnetic layer or
a polarized electret material is formed at the bottom of each recess. The
magnetized magnetic layer or a polarized electret material provides a
predetermined magnetic or electrical field pattern. A plurality of
heterostructures is formed from on an epitaxial wafer wherein each
heterostructure has formed thereon a non-magnetized magnetic layer that is
attracted to the magnetized magnetic layer formed at the bottom of each
recess or dielectric layer that is attracted to the polarized electret
material formed at the bottom of each recess. The plurality of
heterostructures is etched from the epitaxial wafer to form a plurality of
heterostructure pills. The plurality of heterostructure pills is slurried
over the surface of the dielectric layer so that individual
heterostructure pills can fall into a recess and be retained therein due
to the strong short-range magnetic or electrical attractive force between
the magnetized magnetic layer in the recess and the non-magnetized
magnetic layer on the heterostructure pill or between the polarized
electret material in the recess and the dielectric on the heterostructure
pill. Any excess heterostructure pills that are not retained in a recess
formed within the dielectric layer are removed and an overcoat is applied
to form a substantial planar surface.
Μια γκοφρέτα που έχει την ετεροδομή εκεί μέσα διαμορφώνεται χρησιμοποιώντας ένα υπόστρωμα με τις κοιλότητες που διαμορφώνονται μέσα σε ένα διηλεκτρικό στρώμα. Ένα μαγνητισμένο μαγνητικό στρώμα ή ένα πολωμένο electret υλικό διαμορφώνεται στο κατώτατο σημείο κάθε κοιλότητας. Το μαγνητισμένο μαγνητικό στρώμα ή ένα πολωμένο electret υλικό παρέχει ένα προκαθορισμένο σχέδιο μαγνητικών ή ηλεκτρικών τομέων. Μια πολλαπλότητα των ετεροδομών διαμορφώνεται από σε μια κρυσταλλική γκοφρέτα όπου κάθε ετεροδομή έχει διαμορφώσει επ'αυτού ένα μη-μαγνητισμένο μαγνητικό στρώμα που προσελκύεται στο μαγνητισμένο μαγνητικό στρώμα που διαμορφώνεται στο κατώτατο σημείο κάθε κοιλότητας ή το διηλεκτρικό στρώμα που προσελκύεται στο πολωμένο electret υλικό που διαμορφώνεται στο κατώτατο σημείο κάθε κοιλότητας. Η πολλαπλότητα των ετεροδομών χαράζεται από την κρυσταλλική γκοφρέτα για να διαμορφώσει μια πολλαπλότητα των χαπιών ετεροδομής. Η πολλαπλότητα των χαπιών ετεροδομής είναι slurried πέρα από την επιφάνεια του διηλεκτρικού στρώματος έτσι ώστε τα μεμονωμένα χάπια ετεροδομής μπορούν να περιέλθουν σε μια κοιλότητα και να διατηρηθούν εκεί μέσα λόγω στην ισχυρή περιορισμένου φάσματος μαγνητική ή ηλεκτρική ελκυστική δύναμη μεταξύ του μαγνητισμένου μαγνητικού στρώματος στην κοιλότητα και του μη-μαγνητισμένου μαγνητικού στρώματος στο χάπι ετεροδομής ή μεταξύ του πολωμένου electret υλικού στην κοιλότητα και του διηλεκτρικού στο χάπι ετεροδομής. Οποιαδήποτε υπερβολικά χάπια ετεροδομής που δεν διατηρούνται σε μια κοιλότητα που διαμορφώνεται μέσα στο διηλεκτρικό στρώμα αφαιρούνται και ένα παλτό εφαρμόζεται για να διαμορφώσει μια ουσιαστική επίπεδη επιφάνεια.
