In a semiconductor device functioning as a SiGeC-HBT, an emitter/base
stacked portion 20 is formed on a Si epitaxially grown layer 2. The
emitter/base stacked portion 20 includes: a SiGeC spacer layer 21; a SiGeC
core base layer 22 containing boron at a high concentration, a SiGe cap
layer 23; a Si cap layer 24, and an emitter layer 25 formed by introducing
phosphorus into the Si cap layer 24 and the SiGe cap layer 23.
In einem Halbleiterelement, das als SiGeC-HBT arbeitet, wird ein emitter/base Staplungsteil 20 auf einer Silikon Epitaxial- gewachsenen Schicht 2 gebildet. Der emitter/base Staplungsteil 20 schließt ein: eine SiGeC Distanzscheibe Schicht 21; ein enthaltenes Bor der Basisschicht 22 des SiGeC Kernes bei einer hohen Konzentration, eine SiGe Kappe Schicht 23; eine Silikon Kappe Schicht 24 und eine Emitterschicht 25 gebildet durch das Einführen des Phosphors in die Silikon Kappe Schicht 24 und in die SiGe Kappe Schicht 23.
