During the conventional manufacture of HBTs, implant damage occurs which
leads to enhanced internal base diffusion. This problem has been overcome
by making the base and base contact area from a single, uniformly doped
layer of silicon-germanium. Instead of an ion implant step to selectively
reduce the resistance of this layer away from the base, a layer of
polysilicon is selectively deposited (using selective epi deposition) onto
only that part. Additionally, the performance of the polysilicon emitter
is enhanced by means a brief thermal anneal that drives a small amount of
opposite doping type silicon into the SiGe base layer.
Κατά τη διάρκεια της συμβατικής κατασκευής HBTs, η ζημία μοσχευμάτων εμφανίζεται που οδηγεί στην ενισχυμένη εσωτερική διάχυση βάσεων. Αυτό το πρόβλημα έχει υπερνικηθεί με την παραγωγή της περιοχής βάσεων και επαφών βάσεων από ένα ενιαίο, ομοιόμορφα ναρκωμένο στρώμα του πυρίτιο-γερμανίου. Αντί ενός ιονικού βήματος μοσχευμάτων για να μειώσει επιλεκτικά την αντίσταση αυτού του στρώματος μακρυά από τη βάση, ένα στρώμα του πολυπυρίτιου κατατίθεται επιλεκτικά (χρησιμοποιώντας την εκλεκτική απόθεση EPI) επάνω μόνο σε εκείνο το μέρος. Επιπλέον, η απόδοση του εκπομπού πολυπυρίτιων ενισχύεται με τα μέσα που συνοπτικός ένας θερμικός ανοπτεί ότι κινήσεις ένα μικρό ποσό αντιθέτου ναρκώνοντας το πυρίτιο τύπων στο στρώμα βάσεων SiGe.
