A semiconductor chip is mounted on a wiring board that has a two-layer lead
structure. One of the leads used for receiving input signals is disposed
on the lower layer and runs underneath the semiconductor chip forming an
U-shaped wiring line while other leads are disposed on the upper layer.
Because one of the upper layer leads for receiving input signals is
disposed in the U-shaped pocket of the U-shaped wiring line of the lower
layer, the relative positioning of corresponding terminals can be changed
into a reversal of the positioning of the electrode pads of the chip
connected to the terminals. Furthermore, one of the upper layer lead for
receiving control signals is placed between the chip and the lower layer
lead underneath the chip to prevent high frequency signal interference.
Ein Halbleiterspan wird an einem Verdrahtung Brett angebracht, das eine Zweischicht Leitung Struktur hat. Eine der Leitungen, die für das Empfangen der Eingangssignale benutzt werden, wird auf der niedrigeren Schicht abgeschaffen und läuft unter den Halbleiterspan, der eine ue-förmig Verdrahtung Linie bildet, während andere Leitungen auf der oberen Schicht abgeschaffen werden. Weil ein der oberen Schicht für das Empfangen der Eingangssignale wird abgeschaffen in der uen-förmig Tasche der uen-förmig Verdrahtung Linie der niedrigeren Schicht, die relative Positionierung der entsprechenden Anschlüß kann in eine Umlenkung der Positionierung der Elektrode Auflagen des Spanes geändert werden führt, der an die Anschlüß angeschlossen wird. Ausserdem wird ein der oberen Schichtleitung für das Empfangen der Steuersignale zwischen den Span und die unterere Schichtleitung unter den Span gesetzt, um Hochfrequenzsignalstörung zu verhindern.
