The number of grains in active regions of devices can be made uniform by
making the grains of crystalline semiconductor films, obtained by thermal
crystallization using a metal element, smaller. The present invention is
characterized in that a semiconductor film is exposed within an atmosphere
in which a gas, having as its main constituent one or a plurality of
members from the group consisting of inert gas elements, nitrogen, and
ammonia, is processed into a plasma, and then thermal crystallization
using a metal element is performed. The concentration of crystal nuclei1
generated is thus increased, making the grain size smaller, by performing
these processes. Heat treatment may also be performed, of course, after
exposing the semiconductor film, to which the metal element is added, to
an atmosphere in which a gas, having as its main constituent one or a
plurality of members from the group consisting of inert gas elements,
nitrogen, and ammonia, is processed into a plasma.
El número de granos en regiones activas de dispositivos puede ser hecho uniforme haciendo los granos de las películas cristalinas del semiconductor, obtenidos por la cristalización termal usando un elemento del metal, más pequeño. La actual invención se caracteriza en que una película del semiconductor está expuesta dentro de una atmósfera en la cual un gas, teniendo como su componente principal uno o pluralidad de miembros del grupo que consiste en los elementos del gas inerte, nitrógeno, y amoníaco, se procese en un plasma, y entonces la cristalización termal que usa un elemento del metal se realiza. La concentración del cristal nuclei1 generado es aumentada así, haciendo el tamaño de grano más pequeño, realizando estos procesos. El tratamiento de calor se puede también realizar, por supuesto, después de exponer la película del semiconductor, a la cual el elemento del metal se agrega, a una atmósfera en la cual un gas, teniendo como su componente principal uno o pluralidad de miembros del grupo que consiste en elementos, el nitrógeno, y el amoníaco del gas inerte, se procesa en un plasma.
