A semiconductor device and manufacturing method thereof include a
semiconductor substrate, an interlevel dielectric (ILD) layer formed on
the semiconductor substrate, a first contact stud formed in the ILD layer,
having a line width of an entrance portion adjacent to the surface of the
ILD layer larger than the line width of a contacting portion adjacent to
the semiconductor substrate, and a second contact stud spaced apart from
the first contact stud and formed in the ILD layer. The semiconductor
device further includes a landing pad formed on the ILD layer to contact
the surface of the second contact stud, having a line width larger than
that of the second contact stud. The second contact stud has a line width
of a contacting portion that is the same as that of an entrance portion.
Also, at least one spacer comprising an etch stopper material is formed on
the sidewalls of the landing pad and the etch stopper is formed on the
landing pad. The entrance portion of the first contact stud has a line
width about 30-60% larger than that of the contacting portion.
Un metodo di fabbricazione del dispositivo ed a semiconduttore di ciò include un substrato a semiconduttore, uno strato dielettrico del interlevel (ILD) formato sul substrato a semiconduttore, una prima vite prigioniera del contatto formata nello strato di ILD, facendo spaziare una linea larghezza di una parte dell'entrata adiacente alla superficie dello strato di ILD più grande della linea larghezza di una parte mettentesi in contatto con adiacente al substrato a semiconduttore e una seconda vite prigioniera del contatto oltre alla prima vite prigioniera del contatto ed essere formato nello strato di ILD. Il dispositivo a semiconduttore ulteriore include un rilievo di atterraggio formato sullo strato di ILD per mettersi in contatto con la superficie della seconda vite prigioniera del contatto, avendo una linea larghezza più grande di quella della seconda vite prigioniera del contatto. La seconda vite prigioniera del contatto ha una linea larghezza di una parte mettentesi in contatto con che è le stesse di quella di una parte dell'entrata. Inoltre, almeno un distanziatore che contiene un materiale del tappo incissione all'acquaforte è formato sui muri laterali del rilievo di atterraggio ed il tappo incissione all'acquaforte è formato sul rilievo di atterraggio. La parte dell'entrata della prima vite prigioniera del contatto ha una linea larghezza circa 30-60% più grande di quello della parte mettentesi in contatto con.
