A fully depleted SOI FET and methods of formation are disclosed. The FET
includes a layer of semiconductor material disposed over an insulating
layer, the insulating layer disposed over a semiconductor substrate. A
source, a drain and a body disposed between the source and the drain are
formed from the layer of semiconductor material. The layer of
semiconductor material is etched such that a thickness of the body is less
than a thickness of the source and the drain and such that a recess is
formed in the layer of semiconductor material over the body. A gate is
formed at least in part in the recess. The gate defines a channel in the
body and includes a gate electrode spaced apart from the body by a high-K
gate dielectric.
Показаны польностью истощенный fet SOI и методы образования. Fet вклюает слой материала полупроводника размещанный над изолируя слоем, изолируя слоем размещанным над субстратом полупроводника. Источник, сток и тело размещанные между источником и стоком сформированы от слоя материала полупроводника. Слой материала полупроводника вытравлен таким что толщина тела чем толщина источника и стока и таким что гнездо сформирован в слое материала полупроводника над телом. Строб сформирован по крайней мере в части в гнезде. Строб определяет канал в тело и вклюает электрод строба размеченный отдельно от тела vysokim-K диэлектриком строба.
