A method of etching a multi-layer magnetic stack (e.g., layers of
cobalt-iron alloy (CoFe), ruthenium (Ru), platinum-manganese alloy (PtMn),
and the like) of a magneto-resistive random access memory (MRAM) device is
disclosed. Each layer of the multi-layer magnetic stack is etched using a
process sequence including a plasma etch step followed by a plasma
treatment step. The plasma treatment step uses a plasma comprising an
inert gas to remove residues formed during the plasma etch step.
Eine Methode des Ätzens eines mehrschichtigen magnetischen Stapels (z.B., Schichten Kobalt-Eisen Legierung (CoFe), Ruthenium (Ru), Platin-Mangan Legierung (PtMn) und dergleichen) einer magnetoresistenten Vorrichtung des RAMS (MRAM) wird freigegeben. Jede Schicht des mehrschichtigen magnetischen Stapels wird mit einer Prozeßfolge einschließlich einen Plasmaätzungschritt geätzt, der von einem Plasmabehandlungschritt gefolgt wird. Der Plasmabehandlungschritt benutzt ein Plasma, das ein Edelgas enthält, um die Überreste zu entfernen, die während des Plasmaätzungschrittes gebildet werden.
