A first conduction type well is formed in a substrate, and a second
conduction type impurity region is formed in the well. A lower interlayer
dielectric is formed on the substrate, including the well and the purity
region. A contact plug, connected to the impurity region through the lower
interlayer dielectric, is formed with a void inside it. An upper
interlayer dielectric is formed on the lower interlayer dielectric and the
contact plug. The upper interlayer dielectric is selectively etched,
forming an interconnection groove exposing the contact plug. The contact
plug and the exposed void are overetched, extending the void into the
first conduction type well. The interconnection groove is filled with a
conductive layer, forming an interconnection. A seam extending to the well
is formed in the void, connecting the contact plug to the well. Due to the
seam, a well bias may be applied to the well.
Un premier type puits de conduction est formé dans un substrat, et un deuxième type région de conduction d'impureté est formé dans le puits. Un diélectrique inférieur de couche intercalaire est formé sur le substrat, y compris le puits et la région de pureté. Une prise de contact, reliée à la région d'impureté par le diélectrique inférieur de couche intercalaire, est formée avec un vide à l'intérieur d'elle. Un diélectrique supérieur de couche intercalaire est formé sur le diélectrique inférieur de couche intercalaire et la prise de contact. Le diélectrique supérieur de couche intercalaire est sélectivement gravé à l'eau-forte, formant une cannelure d'interconnexion exposant la prise de contact. La prise de contact et le vide exposé sont overetched, prolongeant le vide dans le premier type de conduction bien. La cannelure d'interconnexion est remplie de couche conductrice, formant une interconnexion. Une couture se prolongeant au puits est formée dans le vide, reliant la prise de contact au puits. En raison de la couture, une polarisation bonne peut être appliquée au puits.
