A semiconductor device comprises a first semiconductor layer of a first
conductivity type, a second semiconductor layer of the first conductivity
type formed in an upper surface of the first semiconductor layer,
resistance of the second semiconductor layer being higher than that of the
first semiconductor layer, a base layer of a second conductivity type
formed on the second semiconductor layer, gate electrodes deposited in a
plurality of first trenches, a gate insulation film being disposed between
inner walls and the gate electrodes, each of the first trenches having a
band-shaped planar pattern and extending from top of the base layer down
to the upper surface of the second semiconductor layer, bridge electrodes
filling a plurality of second trenches and surrounded by an insulation
film deposited over walls of the trenches, the second trenches extending
from the top of the base layer down to the upper surface of the second
semiconductor layer and connecting adjacent ones of the first trenches in
communication with one another so that each of the bridge electrodes
electrically connects adjacent ones of the gate electrodes, an impurity
diffused region of the second conductivity type formed in the second
semiconductor layer adapted to surround the second trenches existing in
the second semiconductor layer, a source region of the first conductivity
type formed in a surface area of the base layer alongside extensions of
the gate electrodes, a source electrode formed on the surface of the
source region, and a drain electrode formed on a back surface of the first
semiconductor layer.
Ein Halbleiterelement enthält eine erste Halbleiterschicht von einer ersten Leitfähigkeitart, eine zweite Halbleiterschicht der ersten Leitfähigkeitart, die in einer Oberfläche der ersten Halbleiterschicht, Widerstand der zweiten Halbleiterschicht gebildet wird, die höher als die der ersten Halbleiterschicht, eine Basisschicht einer zweiten Leitfähigkeitart ist, die auf der zweiten Halbleiterschicht, die Gate-Elektroden gebildet wird, die in einer Mehrzahl der ersten Gräben, ein Gatterisolierung Film niedergelegt werden, der zwischen inneren Wänden und den Gate-Elektroden, jede der ersten Gräben abgeschaffen wird, die ein Band-geformtes planares Muster haben und unten verlängern von der Oberseite der Basisschicht auf die Oberfläche der zweiten Halbleiterschicht, Brücke Elektroden eine Mehrzahl der zweiten Gräben und durch ein Isolierung Film niedergelegte Überwände der Gräben umgeben füllend, zerstreuten die zweiten Gräben, die unten von der Oberseite der Basisschicht auf die Oberfläche der zweiten Halbleiterschicht verlängern und die angrenzende der ersten Gräben in der Kommunikation miteinander anschließend, damit jede der Brücke Elektroden elektrisch die angrenzende der Gate-Elektroden anschließt, eine Verunreinigung, Region der zweiten Leitfähigkeitart, die in der zweiten Halbleiterschicht gebildet wurde, die angepaßt wurde, um die zweiten Gräben zu umgeben, die in der zweiten Halbleiterschicht, eine Quellregion der ersten Leitfähigkeitart bestehen, die in einer Fläche der Basisschicht neben Verlängerungen der Gate-Elektroden gebildet wurde, eine Quelelektrode bildete sich auf der Oberfläche der Quellregion und einer Abflußelektrode, die auf einer rückseitigen Oberfläche der ersten Halbleiterschicht gebildet wurde.
