A bond pad is located over active circuitry formed within an integrated
circuit device. A barrier film forms the bottom surface of the upper
portion of a bond pad opening which also includes vias extending through
the bottom surface to form a dual damascene structure. The bond pad is
resistant to stress effects such as cracking, which can be produced when
bonding an external wire to the bond pad, and therefore prevents leakage
currents between the bond pads and the underlying circuitry.
Bond пусковая площадка расположена над активно сетями сформированными внутри приспособление интегрированной цепи. Пленка барьера формирует нижнюю поверхность верхней части отверстия bond пусковой площадки также вклюает vias extending through нижняя поверхность для того чтобы сформировать двойную damascene структуру. Bond пусковая площадка упорна к влияниям усилия such as трескать, который можно произвести скрепляя внешний провод к bond пусковой площадке, и поэтому предотвращает течения утечки между bond пусковыми площадками и основными сетями.
