A process for etching high dielectric constant (high-k) films (e.g.,
Zr.sub.z Si.sub.y O.sub.x, Hf.sub.z Si.sub.y O.sub.x, Zr.sub.z Hf.sub.y
O.sub.x, Hf.sub.z Al.sub.y O.sub.x, and Zr.sub.z Al.sub.y O.sub.x) more
rapidly than coexisting SiO.sub.2, polysilicon, silicon and/or other films
is disclosed. The process comprises contacting the films with an aqueous
solution comprising a fluoride containing species at a concentration
sufficiently dilute to achieve a desired selective etch of the high-k
film. The etching solution is preferably used above ambient temperature to
further increase the etch selectivity of the high-k films relative to
coexisting SiO.sub.2 and/or other films. The etch rate of the solution can
also be adjusted by controlling the pH of the etching solution, e.g., by
the addition of other acids or bases to the solution (for example, HCl or
NH.sub.4 OH).
Μια διαδικασία για τις υψηλές ταινίες διηλεκτρικής σταθεράς (υψηλός-Κ) (π.χ., Zr.sub.z Si.sub.y O.sub.x, Hf.sub.z Si.sub.y O.sub.x, Zr.sub.z Hf.sub.y O.sub.x, Hf.sub.z Al.sub.y O.sub.x, και Zr.sub.z Al.sub.y O.sub.x) γρηγορότερα από συνυπάρχοντας SiO.sub.2, πολυπυρίτιο, πυρίτιο ή/και άλλες ταινίες αποκαλύπτονται. Η διαδικασία περιλαμβάνει την επαφή των ταινιών με ένα διάλυμα ύδατος περιλαμβάνοντας ένα φθορίδιο που περιέχει τα είδη σε μια συγκέντρωση αρκετά αραιή για να επιτύχει επιθυμητό έναν εκλεκτικό χαράζει της ταινίας υψηλός-Κ. Η λύση χαρακτικής χρησιμοποιείται κατά προτίμηση επάνω από την περιβαλλοντική θερμοκρασία στην περαιτέρω αύξηση χαράζει την επιλεκτικότητα των ταινιών υψηλός-Κ σχετικά με τη συνύπαρξη SiO.sub.2 ή/και άλλων ταινιών. Χαράξτε το ποσοστό της λύσης μπορεί επίσης να προσαρμοστεί με τον έλεγχο του pH της λύσης χαρακτικής, π.χ., από την προσθήκη άλλων οξέων ή βάσεων στη λύση (παραδείγματος χάριν, HCl ή NH.sub.4 OH).
